IPB020N10N5LFATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB020N10N5LFATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N06S5L011ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC120N06S5L011ATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L011ATMA1 - 60V 1.1mOhm 310A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L011ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB020N10N5LFATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
پیکیج PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Marking Code 020N10LF —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں