IPB020N10N5LFATMA1 vs IAUC120N06S5L011ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB020N10N5LFATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L011ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB020N10N5LFATMA1 IAUC120N06S5L011ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET OptiMOS 5 60 V (S5 generation)
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL, 5 mm × 6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Marking Code 020N10LF —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) — 310 A (Tj), 120 A marketing
R_DS(on) max — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS = 4.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 188 W at T_C = 25 °C
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin