IPB025N10N3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB025N10N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPB020NE7N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPB025N10N3GATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | 300 W |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | 2.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.58 nF | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| العلبة | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPB020NE7N3GATMA1 |
| Polarity | — | N-Channel |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 2.0 mΩ typical (per part number code) |
| Configuration | — | Single |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) |