IPB025N10N3GATMA1 vs IPB020NE7N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB025N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB020NE7N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB025N10N3GATMA1 | IPB020NE7N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | 300 W |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | 2.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.58 nF | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| پیکیج | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab | PG-TO263-3 (D²PAK, TO-263AB) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 N-Channel Power MOSFET |
| MSL لیول | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPB020NE7N3GATMA1 |
| Polarity | — | N-Channel |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 2.0 mΩ typical (per part number code) |
| Configuration | — | Single |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (per OptiMOS 3 family datasheet) |