IPB120P04P4L03ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB120P04P4L03ATMA2 بواسطة Infineon و IPD50P04P413ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB120P04P4L03ATMA2 IPD50P04P413ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
حالة RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-P2 (Trench)
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر