IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC50N04S5L5R5ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN08S7L024ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1 - 80V 2.4mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L024ATMA1 - 80V 2.4mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L024ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPC50N04S5L5R5ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
العلبة PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Technology — OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 177 A (Tj)
Continuous Drain Current (Silicon-limited) — 150 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.4 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 148 W (Tc)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر