IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IAUCN08S7L024ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPC50N04S5L5R5ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L024ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPC50N04S5L5R5ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55C to +175C (Tj)
Paket PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Technology — OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 177 A (Tj)
Continuous Drain Current (Silicon-limited) — 150 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.4 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 148 W (Tc)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin