IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IPB014N06NATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC50N04S5L5R5ATMA1 بواسطة Infineon و IPB014N06NATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPB014N06NATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested 100% avalanche tested
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Transistor Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS 5 (trench-gate)
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر