IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IPB014N06NATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPC50N04S5L5R5ATMA1 tarafından Infineon ve IPB014N06NATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPB014N06NATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested 100% avalanche tested
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Transistor Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 34 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 214 W
On-Resistance RDS(on) max — 1.4 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS 5 (trench-gate)
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Primary Application — Synchronous rectification, motor control

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin