IPD053N06NATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD053N06NATMA1 بواسطة Infineon و IPC100N04S51R7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD053N06NATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 60V —
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 45 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 18 A —
On-State Resistance (RDS(on), max) 5.3 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet] —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Series — OptiMOS-5
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
مستوى MSL — MSL1 (260 °C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100% tested
Built-in Body Diode — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر