IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD35N10S3L26ATMA2 بواسطة Infineon و IPD35N10S3L26ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| العلبة | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| عدد الأطراف | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Part Number | — | IPD35N10S3L26ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 35 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 26 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 71 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Green product (halogen-free) |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] |