IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD35N10S3L26ATMA2 द्वारा Infineon और IPD35N10S3L26ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| पिन काउंट | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Part Number | — | IPD35N10S3L26ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 35 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 26 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 71 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Green product (halogen-free) |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] |