IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD35N10S3L26ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD35N10S3L26ATMA2 tarafından Infineon ve IPD35N10S3L26ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD35N10S3L26ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | — |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| Pin Sayısı | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | OptiMOS-T (N-channel enhancement mode trench MOSFET) |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Part Number | — | IPD35N10S3L26ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 35 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 26 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 71 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Green product (halogen-free) |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg from datasheet] |