IPD50R399CPATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD50R399CPATMA1 بواسطة Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD50R399CPATMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $5.19 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CP | CoolMOS CFD7 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 500 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 9 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 83 W | — |
| On-Resistance (R_DS(on), typ) | 0.399 ohm | — |
| العلبة | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS CP (superjunction) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Configuration | Single | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Datasheet Series | IPD50R399CP | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 227 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| مستوى MSL | — | 1 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |