IPD50R399CPATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD50R399CPATMA1 توسط Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 - 500V N-Ch CoolMOS CP, 9A DPAK | Infineon

IPD50R399CPATMA1 - 500V N-Ch CoolMOS CP, 9A DPAK | Infineon

IPD50R399CPATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD50R399CPATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CP CoolMOS CFD7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 500 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 9 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 83 W —
On-Resistance (R_DS(on), typ) 0.399 ohm —
بسته‌بندی PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS CP (superjunction) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Configuration Single —
Operating Mode Enhancement-mode —
Datasheet Series IPD50R399CP —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
اتلاف توان (TC=25°C) — 227 W
محدوده دمای کاری — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
سطح MSL — 1
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت