IPD50R399CPATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD50R399CPATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R040CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 - 500V N-Ch CoolMOS CP, 9A DPAK | Infineon

IPD50R399CPATMA1 - 500V N-Ch CoolMOS CP, 9A DPAK | Infineon

IPD50R399CPATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD50R399CPATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CP CoolMOS CFD7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 500 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 9 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 83 W —
On-Resistance (R_DS(on), typ) 0.399 ohm —
پیکیج PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS CP (superjunction) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Free / RoHS ROHS3 Compliant —
Configuration Single —
Operating Mode Enhancement-mode —
Datasheet Series IPD50R399CP —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 227 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
MSL لیول — 1
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں