IPD50R399CPATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD50R399CPATMA1 بواسطة Infineon و IPD50N06S409ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD50R399CPATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS CP | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 500 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 9 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 83 W | — |
| On-Resistance (R_DS(on), typ) | 0.399 ohm | — |
| العلبة | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS CP (superjunction) | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (2 + Tab) |
| Lead Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Configuration | Single | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Datasheet Series | IPD50R399CP | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |