IPD50R399CPATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD50R399CPATMA1 द्वारा Infineon और IPD50N06S409ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD50R399CPATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS CP | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 500 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 9 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 83 W | — |
| On-Resistance (R_DS(on), typ) | 0.399 ohm | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS CP (superjunction) | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (2 + Tab) |
| Lead Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Configuration | Single | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Datasheet Series | IPD50R399CP | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |