IPD70N10S3L12ATMA2 vs ISC045N03L5SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD70N10S3L12ATMA2 بواسطة Infineon و ISC045N03L5SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD70N10S3L12ATMA2 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S3L12ATMA2 | ISC045N03L5SATMA1 |
| Technology | OptiMOS-T (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 5 / Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| On-State Resistance R_DS(on) typ @ VGS=10V | 11.5 mOhm | — |
| On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] | — |
| Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation PD at TC | 125 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TO252-3-11 (DPAK) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C |