IPD70N10S3L12ATMA2 vs ISC045N03L5SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD70N10S3L12ATMA2 tarafından Infineon ve ISC045N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD70N10S3L12ATMA2 ISC045N03L5SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S3L12ATMA2 ISC045N03L5SATMA1
Technology OptiMOS-T (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 / Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 70 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
On-State Resistance R_DS(on) typ @ VGS=10V 11.5 mOhm —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD at TC 125 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin