IPD70N10S3L12ATMA2 vs ISC045N03L5SATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD70N10S3L12ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC045N03L5SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPD70N10S3L12ATMA2 IPD70N10S3L12ATMA2 - 100V N-Ch OptiMOS 11.5mOhm 70A | Infineon

IPD70N10S3L12ATMA2 - 100V N-Ch OptiMOS 11.5mOhm 70A | Infineon

IPD70N10S3L12ATMA2 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISC045N03L5SATMA1 ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

ISC045N03L5SATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPD70N10S3L12ATMA2 ISC045N03L5SATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD70N10S3L12ATMA2 ISC045N03L5SATMA1
Technology OptiMOS-T (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 5 / Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 70 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
On-State Resistance R_DS(on) typ @ VGS=10V 11.5 mOhm —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD at TC 125 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 C to +175 C —
প্যাকেজ PG-TO252-3-11 (DPAK) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 °C to +150 °C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট