IPG16N10S461AATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG16N10S461AATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN10S7N021ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPG16N10S461AATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر