IPG16N10S461AATMA1 vs IAUCN10S7N021ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG16N10S461AATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S7N021ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG16N10S461AATMA1 IAUCN10S7N021ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS™ 7 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 175 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 2.1 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ — 3.2 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V — 105 nC
Input Capacitance (Ciss) — 2.98 nF
Output Capacitance (Coss) — 32 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 7.153 nF
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 217 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin