IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R125P7AUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R105P7AUMA1 بواسطة Infineon و IPL60R125P7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPL60R105P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C —
العلبة PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes —
Lead-Free Yes —
Product Family — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 27 A
On-State Resistance RDS(on) max — 125 mOhm
Gate Charge (Qg, typ) — 36 nC
Total Gate Charge Qg (typ) — 36 nC
Output Capacitance Coss (typ) — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Gate Threshold Voltage VGS(th), typ — 3.5 V
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +150 C
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — MSL 2 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Configuration — Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر