IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R125P7AUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPL60R105P7AUMA1 מאת Infineon ו IPL60R125P7AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPL60R105P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C —
מארז PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
נטול הלוגנים Yes —
Lead-Free Yes —
Product Family — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 27 A
On-State Resistance RDS(on) max — 125 mOhm
Gate Charge (Qg, typ) — 36 nC
Total Gate Charge Qg (typ) — 36 nC
Output Capacitance Coss (typ) — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Gate Threshold Voltage VGS(th), typ — 3.5 V
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +150 C
רמת רגישות ללחות (MSL) — MSL 2 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Configuration — Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר