IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R125P7AUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPL60R105P7AUMA1 bằng Infineon và IPL60R125P7AUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPL60R125P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 MOSFET 125mΩ 27A | Infineon
IPL60R125P7AUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPL60R105P7AUMA1 | IPL60R125P7AUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | — |
| Hộp | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 27 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 125 mOhm |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 36 nC |
| Total Gate Charge Qg (typ) | — | 36 nC |
| Output Capacitance Coss (typ) | — | [DATA_NEEDED: Coss value] |
| Reverse Recovery Charge Qrr | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th), typ | — | 3.5 V |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +150 C |
| Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) | — | MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) |
| Pin Configuration | — | Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 |