IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R125P7AUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPL60R105P7AUMA1 توسط Infineon و IPL60R125P7AUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPL60R105P7AUMA1 IPL60R125P7AUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
محدوده دمای کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
بدون هالوژن Yes —
Lead-Free Yes —
Product Family — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 27 A
On-State Resistance RDS(on) max — 125 mOhm
Gate Charge (Qg, typ) — 36 nC
Total Gate Charge Qg (typ) — 36 nC
Output Capacitance Coss (typ) — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr]
Rise Time / Fall Time (tr/tf) — [DATA_NEEDED: tr/tf]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Gate Threshold Voltage VGS(th), typ — 3.5 V
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
دمای اتصال کاری — -55 C to +150 C
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) — MSL 2 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Configuration — Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت