IPP037N08N3GXKSA1 vs IPP045N10N3GXKSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP037N08N3GXKSA1 بواسطة Infineon و IPP045N10N3GXKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP037N08N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 OptiMOS 3
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.75 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 6 V, 10 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 214 W —
العلبة PG-TO220-3 (Through Hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
نوع التركيب Through Hole Through Hole
عدد الأطراف 3 —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (junction) -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] —
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
حالة RoHS Compliant Compliant (per LCSC datasheet excerpt)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPP045N10N3GXKSA1
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C — [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C]
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) — 137 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V — 4.5 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 3.5 V (typical, per LCSC listing)
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C — 214 W
Lead-Free — Yes (Infineon G/GX part suffix)
مستوى MSL — N/A (through-hole package)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر