IPP037N08N3GXKSA1 vs IPP045N10N3GXKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP037N08N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPP045N10N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP037N08N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3 OptiMOS 3
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.75 mΩ —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 6 V, 10 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 214 W —
Paket PG-TO220-3 (Through Hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Pin Sayısı 3 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (junction) -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V] —
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
RoHS Durumu Compliant Compliant (per LCSC datasheet excerpt)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPP045N10N3GXKSA1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C — [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C]
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) — 137 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V — 4.5 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 3.5 V (typical, per LCSC listing)
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C — 214 W
Lead-Free — Yes (Infineon G/GX part suffix)
MSL Seviyesi — N/A (through-hole package)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin