IPP100N12S305AKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP100N12S305AKSA1 بواسطة Infineon و IPP100N12S305AKSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP100N12S305AKSA1 IPP100N12S305AKSA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
تيار التصريف النبضي [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة TO-220 (PG-TO220-3-1) PG-TO220-3-1 (Through Hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
عدد الأطراف 3 3 (Gate, Drain, Source)
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (TJ)
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — N/A (Through Hole)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر