IPP100N12S305AKSA1 vs IPP100N12S305AKSA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP100N12S305AKSA1 توسط Infineon و IPP100N12S305AKSA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP100N12S305AKSA1 IPP100N12S305AKSA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
جریان درین پالسی [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی TO-220 (PG-TO220-3-1) PG-TO220-3-1 (Through Hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
تعداد پایه 3 3 (Gate, Drain, Source)
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) — 300 W
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
محدوده دمای کاری — -55C to +175C (TJ)
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — N/A (Through Hole)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت