IPT015N10NF2SATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT015N10NF2SATMA1 بواسطة Infineon و IPB024N10N5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPT015N10NF2SATMA1 | IPB024N10N5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| العلبة | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TO263-7 (D2PAK-7) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| طاقة الانهيار النبضي المفرد | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 180 A |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 250 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge Qg typ @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| Input Capacitance Ciss | — | [DATA_NEEDED: Ciss value] |
| Output Capacitance Coss | — | [DATA_NEEDED: Coss value] |
| Reverse Recovery Charge Qrr | — | [DATA_NEEDED: Qrr value] |
| مستوى MSL | — | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes (per Infineon product family policy) |