IPT015N10NF2SATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT015N10NF2SATMA1 tarafından Infineon ve IPB024N10N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT015N10NF2SATMA1 IPB024N10N5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Paket PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi [DATA_NEEDED: EAS value] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
MSL Seviyesi — 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Klorürsüz — Yes (per Infineon product family policy)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin