IPT015N10NF2SATMA1 vs IPB024N10N5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT015N10NF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB024N10N5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT015N10NF2SATMA1 IPB024N10N5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
پیکیج PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-TO263-7 (D2PAK-7)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
سنگل پلس ایوالانچ انرجی [DATA_NEEDED: EAS value] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 180 A
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 250 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.4 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Input Capacitance Ciss — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Output Capacitance Coss — [DATA_NEEDED: Coss value]
Reverse Recovery Charge Qrr — [DATA_NEEDED: Qrr value]
MSL لیول — 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
ہیلوجن فری — Yes (per Infineon product family policy)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں