IQD016N08NM5ATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQD016N08NM5ATMA1 بواسطة Infineon و IQE050N08NM5CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQD016N08NM5ATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 100 W |
| العلبة | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |