IQD016N08NM5ATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQD016N08NM5ATMA1 tarafından Infineon ve IQE050N08NM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQD016N08NM5ATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 100 W |
| Paket | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |