IQD016N08NM5ATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQD016N08NM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE050N08NM5CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 - 80V 1.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQD016N08NM5ATMA1 - 80V 1.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQD016N08NM5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon

IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon

IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQD016N08NM5ATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (Ta) 31 A 16 A
Continuous Drain Current (Tc) 323 A 101 A
On-Resistance RDS(on) typical 1.6 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 100 W
پیکیج PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 Power-MOSFET OptiMOS 5 (Source-Down)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typical] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں