IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE050N08NM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE050N08NM5CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 - 80V 99A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IQE050N08NM5CGSCATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 99 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.0 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.8 V | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation at TC (PD) | 100 W | — |
| Total Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction, typical) | — |
| العلبة | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, RoHS compliant | — |
| مستوى MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |
| حالة RoHS | — | Compliant |