IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE050N08NM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQE050N08NM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (Source-Down)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 99 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.0 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation at TC (PD) 100 W —
Total Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction, typical) —
Paket PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant —
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin