IR2011STRPBF vs IRS2104STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2011STRPBF بواسطة Infineon و IRS2104STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2011STRPBF IRS2104STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) —
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL Standard CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 80 ns 150 ns
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
البنية الطوبولوجية — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40C to +150C
مستوى MSL — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial
حالة RoHS — Compliant (PbF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر