IR2011STRPBF vs IRS2104STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2011STRPBF מאת Infineon ו IRS2104STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRS2104STRPBF IRS2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2104STRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IR2011STRPBF IRS2104STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) —
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL Standard CMOS / LSTTL
Propagation Delay (typ.) 80 ns 150 ns
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
טופולוגיה — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
טמפרטורת צומת פעולה — -40C to +150C
רמת MSL — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial
סטטוס RoHS — Compliant (PbF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר