IRF1010EPBF vs IRFB4110PBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF1010EPBF بواسطة Infineon و IRFB4110PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF1010EPBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $1.55 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 84 A at Tc | — |
| Power Dissipation (PD) | 200 W at Tc | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 12 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.6 nC | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | HEXFET (planar DMOS) |
| العلبة | TO-220AB | TO-220AB (through-hole) |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| Configuration | Single FET | — |
| حالة RoHS | RoHS3 Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| مستوى MSL | 3 (168 Hours) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Rise Time / Fall Time | [DATA_NEEDED: switching times] | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: input capacitance] | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |