IRF1010EPBF vs IRFB4110PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF1010EPBF द्वारा Infineon और IRFB4110PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF1010EPBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $1.55 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 84 A at Tc | — |
| Power Dissipation (PD) | 200 W at Tc | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 12 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.6 nC | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | HEXFET (planar DMOS) |
| पैकेज | TO-220AB | TO-220AB (through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Configuration | Single FET | — |
| RoHS स्थिति | RoHS3 Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| MSL स्तर | 3 (168 Hours) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Rise Time / Fall Time | [DATA_NEEDED: switching times] | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: input capacitance] | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |