IRF1310NSTRLPBF vs IPD80R280P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF1310NSTRLPBF بواسطة Infineon و IPD80R280P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF1310NSTRLPBF | IPD80R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| العلبة | D2PAK (TO-263AB) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 17 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 280 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 101 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +150C |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |