IRF1310NSTRLPBF vs IPD80R280P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1310NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IPD80R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF1310NSTRLPBF | IPD80R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| پیکیج | D2PAK (TO-263AB) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 17 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 280 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 101 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |