IRF1310NSTRLPBF vs IPD80R280P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1310NSTRLPBF tarafından Infineon ve IPD80R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF1310NSTRLPBF | IPD80R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | D2PAK (TO-263AB) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Built-in Diode | Yes (intrinsic body diode) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 17 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 280 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 101 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |