IRF3007STRLPBF vs IRF1018EPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF3007STRLPBF بواسطة Infineon و IRF1018EPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF3007STRLPBF | IRF1018EPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $0.38 |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C | 62 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 250 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 12.6 mΩ typical at VGS=10V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 110 nC typical | 46 nC |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | 120 W at Tc=25°C | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +175°C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.0 °C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | 40 °C/W | — |
| Package Type | D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through Hole |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free, PBF suffix) | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | HEXFET (Power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 79 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 8.4 mOhm |
| Gate Drive Voltage (Vgs) | — | 10 V (optimized; +/-20 V max) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 110 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| العلبة | — | TO-220AB (through-hole, 3-lead) |
| Qualification | — | JEDEC (Industrial market) |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) |