IRF3007STRLPBF vs IRF1018EPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF3007STRLPBF von Infineon und IRF1018EPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF3007STRLPBF IRF1018EPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $0,38
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 62 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 250 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 12.6 mΩ typical at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC typical 46 nC
Maximum Power Dissipation (Pd) 120 W at Tc=25°C —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +175°C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.0 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 40 °C/W —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount —
Montageart Surface Mount Through Hole
RoHS-Status Compliant (Lead-Free, PBF suffix) Compliant
Avalanche Rated Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 79 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 8.4 mOhm
Gate Drive Voltage (Vgs) — 10 V (optimized; +/-20 V max)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 110 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C (Tj)
Gehäuse — TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Qualification — JEDEC (Industrial market)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)

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