IRF3007STRLPBF vs IRF1018EPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF3007STRLPBF por Infineon e IRF1018EPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF3007STRLPBF IRF1018EPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,38
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 62 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 250 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 12.6 mΩ typical at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC typical 46 nC
Maximum Power Dissipation (Pd) 120 W at Tc=25°C —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.0 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 40 °C/W —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount —
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Status RoHS Compliant (Lead-Free, PBF suffix) Compliant
Avalanche Rated Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 79 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 8.4 mOhm
Gate Drive Voltage (Vgs) — 10 V (optimized; +/-20 V max)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 110 W
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C (Tj)
Encapsulamento — TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Qualification — JEDEC (Industrial market)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)

Fichas técnicas e recursos

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