IRF3007STRLPBF vs IRF1018EPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF3007STRLPBF द्वारा Infineon और IRF1018EPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF3007STRLPBF | IRF1018EPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $0.38 |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C | 62 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 250 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 12.6 mΩ typical at VGS=10V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 110 nC typical | 46 nC |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | 120 W at Tc=25°C | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +175°C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.0 °C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | 40 °C/W | — |
| Package Type | D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| RoHS स्थिति | Compliant (Lead-Free, PBF suffix) | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | HEXFET (Power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 79 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 8.4 mOhm |
| Gate Drive Voltage (Vgs) | — | 10 V (optimized; +/-20 V max) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 110 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| पैकेज | — | TO-220AB (through-hole, 3-lead) |
| Qualification | — | JEDEC (Industrial market) |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |